[10p-Z05-1~19] 6.4 Thin films and New materials

△ [10p-Z05-17] Magnetoresistance of low temperature PLD grown Ni_1-xFe_xO(111) epitaxial thin films

〇(M2)Yoshiharu Shinozaki¹, Kenta Kaneko¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:nickel oxide, magnetoresistance, heavily impurity dope

Ni_1−xFe_xO(x≦0.7)エピタキシャル薄膜の作製と磁気抵抗効果について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al₂O₃(0001)基板に製膜した。
得られた薄膜はXRDパターンにより、いずれも岩塩型構造ベースの (111)エピタキシャル薄膜と分かった。300 KにおけるPPMSを用いた直流磁気抵抗測定の結果、いずれの薄膜も面直磁場印加により負の磁気抵抗効果を示し、Ni_0.3Fe_0.7O(111)薄膜では9Tにおいて約-0.5%となった。また、x=0.7でのMRの増大について、四面体配位Feイオン増加の寄与が考えられる。