[10p-Z05-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [10p-Z05-17] 低温 PLD 合成 Ni_1-xFe_xO(111)エピタキシャル薄膜の磁気抵抗評価

〇(M2)篠崎 佳晴¹、金子 健太¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ニッケル, 磁気抵抗効果, 高濃度不純物添加

Ni_1−xFe_xO(x≦0.7)エピタキシャル薄膜の作製と磁気抵抗効果について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al₂O₃(0001)基板に製膜した。
得られた薄膜はXRDパターンにより、いずれも岩塩型構造ベースの (111)エピタキシャル薄膜と分かった。300 KにおけるPPMSを用いた直流磁気抵抗測定の結果、いずれの薄膜も面直磁場印加により負の磁気抵抗効果を示し、Ni_0.3Fe_0.7O(111)薄膜では9Tにおいて約-0.5%となった。また、x=0.7でのMRの増大について、四面体配位Feイオン増加の寄与が考えられる。