[10p-Z05-1~19] 6.4 薄膜新材料

[10p-Z05-2] Si薄膜成長へ向けたエピタキシャルグラフェンの表面改質

〇(M1)勝崎 友裕¹、社本 利玖¹、平井 瑠一¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：エピタキシャルグラフェン, 表面改質, シリコン

近年、Si基板とグラフェンを組み合わせた構造を作製する技術として、グラフェン・オン・シリコン(GOS)技術がある。一方、シリコン・オン・グラフェン(SOG)技術についてはあまり研究されていない。SOG技術はエピタキシャルグラフェン(EG)上にSi結晶薄膜を原子層単位で膜厚を制御しながら成長することを可能にする。現在、Si薄膜化技術の主流はCMPを用いたSiウエハーの薄膜化技術であるが、SOG技術を用いたSi薄膜化技術は次世代3次元集積化における他の選択肢となり得るものと考えられる。SOG技術における最大の課題は初期Si結晶核形成における結晶軸の配向制御である。これはEG表面に未結合手が存在せず、Si結晶核の結晶軸が1つに定まらないためである。本報告ではEGに対する新しい表面改質を行った場合の表面改質EG上Si薄膜成長におけるSi結晶核の結晶軸配向制御向上の可能性について検討する。