[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-12] 放出2次電子数計算法の検討と試料電流測定による妥当性評価

〇野崎 遼^1,2、牛丸 晃太^1,2、小林 大輔²、山本 知之¹、廣瀬 和之^1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

キーワード：2次電子放出, 試料電流, SiO2/Si

X線照射により固体中で励起された1次電子が散乱されることで発生する2次電子に関する理論研究は広く行われている。本研究では、エネルギー保存則を仮定した、これまでより簡便な2次電子数計算方法を提案し、その妥当性をUVSORにおけるSiO2試料電流測定により評価した。測定結果から、本研究の計算方法は概ね正しいことが確認された。さらに異なる成膜方法の試料でも、電子の脱出深さで整理できることを示唆する結果を得られた。