[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-13] TCAD simulation of BTI characteristics influenced by Oxygen Vacancies in Al₂O₃/GeO₂/Ge pMOSFET

〇Shun Kawashima¹, Mengnan Ke¹, Takayuki Kawahara¹ (1.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:semiconductor

先行研究として， Al₂O₃/GeO_x/GeゲートスタックのGe MOSが提案されており，界面準位密度が低く，薄いEOTを実現できる一方で，スロートラップによるヒステリシスが生じることが分かっており，閾値変動あるいはチャンネル電流ドリフトといった信頼性の問題の原因となっている．本研究ではGe pMOSFETに焦点を当て，GeO₂とAl₂O₃に存在するスロートラップの特性考察を行った．