[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-13] TCADシミュレーションにおけるAl₂O₃/GeO₂/Ge pMOSFETのゲート絶縁膜に存在する酸素空孔によるBTI特性の影響

〇川島 舜¹、柯 夢南¹、河原 尊之¹ (1.理科大工)

キーワード：半導体

先行研究として， Al₂O₃/GeO_x/GeゲートスタックのGe MOSが提案されており，界面準位密度が低く，薄いEOTを実現できる一方で，スロートラップによるヒステリシスが生じることが分かっており，閾値変動あるいはチャンネル電流ドリフトといった信頼性の問題の原因となっている．本研究ではGe pMOSFETに焦点を当て，GeO₂とAl₂O₃に存在するスロートラップの特性考察を行った．