[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-14] マルチフラックスデバイスシミュレーションのMOSFET反転層への応用

〇福田 浩一¹、浅井 栄大¹、服部 淳一¹、池上 努¹ (1.産総研)

キーワード：半導体デバイスシミュレーション, マルチフラックス法, MOSFET channel subbands

マルチフラックスデバイスシミュレーション法をMOSFETの反転層のサブバンドに応用し、チャネル方向の不均一性の解析を可能にした