[10p-Z23-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10p-Z23-14] First-principles study of anisotropy of nitrogen incorporation into bulk 4H-SiC

〇Naoki Komatsu¹, Mitsuharu Uemoto¹, Tomoya Ono¹ (1.Grad. Schl. Eng., Kobe Univ.)

Keywords:SiC MOS, NO annealing, First-principles calculation

本研究では、窒化ケイ素(SiC) ポスト酸化アニーリング処理にあらわれる異方性について調べるため、4H-SiC結晶のさまざまな面方位・サイトに対して窒素添加を行った際の原子構造を考え、密度汎関数理論による第一原理電子状態計算から最安定構造の探索を行う。その結果、4H-SiC中のkサイトをa面に沿って置換したものがエネルギー的に最安定になることが明らかとなった。本講演では、電子状態から異方性が現れるメカニズムについて紹介する。