2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2020年9月10日(木) 13:15 〜 18:00 Z23

川西 咲子(東北大)、野口 宗隆(三菱電機)、俵 武志(富士電機)

13:45 〜 14:00

[10p-Z23-3] 環状シランを用いたSiC薄膜の成膜

中村 昌幸1、小林 貴之1、立田 利明1、本山 愼一1 (1.サムコ株式会社)

キーワード:SiC, 成膜, 環状シラン

従来、SiC薄膜の成膜はシランやハロゲン系原料を用いて行われてきた。今回、我々はこれらの材料の難点である自然発火性や腐食性がなく、SiとCが1:1に含まれる環状シランを用いてSiCの成膜を試みた。成膜した膜をXRD及びFTIR測定によって評価したところ、SiCが形成されていることが確認できた。またFTIR測定の結果、膜中にSi-H結合がほとんど残留していないことも確認された。