[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-7] 三フッ化塩素ガスによる大口径炭化ケイ素ウェハエッチング技術

川崎 稜平¹、謝 林生¹、林 優也¹、〇羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：炭化珪素, 三フッ化塩素, 大口径ウエハエッチング

半導体炭化ケイ素(SiC)を利用したパワーデバイスの生産性を向上させるためにウェハの大口径化が挙げられる。極めて硬い性質をもつSiC結晶の大口径ウエハを素早く加工するために、前報では、ClF₃ガスを用いた直径200 mmのSiCウェハエッチング装置の設計思想を検討した。本報では、高速エッチングの可能性について数値計算により詳細に検討したので詳細を報告する。