The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11a-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 11, 2020 8:30 AM - 11:30 AM Z01

Takashi Suemasu(Univ. of Tsukuba), Kosuke Hara(Univ. of Yamanashi)

8:30 AM - 8:45 AM

[11a-Z01-1] Single crystal growth of (InGaO3)m(ZnO)n (m = 1, 2 n = 1, 3) and physical property

〇Yusuke Kawamura1, Yuki Kobayashi, Naoki Kase1, Nobuaki Miyakawa1 (1.Tokyo Univ of Science)

Keywords:IGZO

透明導電性半導体として注目されているIGZOは薄膜トランジスタ(TFT)などの応用利用が進む一方で、基礎物性の理解に必要な単結晶の研究が遅れていました。本研究では作製されたIGZO単結晶の物性測定から電気伝導機構を考察します。