[11a-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11a-Z01-11] Photosensitivity of Mg₂Si PDs with Au/Mo and Au/Pt mesh-electrode

〇Yudai Ichikawa¹, Daisuke Niioka¹, Takeru Miyauchi¹, Misa Yoshida², Daiju Tsuya², Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:semiconductor, Mg2Si, photo diode

我々は n型 Mg₂Si基板上に Agを熱拡散させることで pn接合フォトダイオー
ド（ PD）を作製し、分光感度特性を報告してきた。前回、 p型拡散層と金属電極間の仕事関数差を考慮して電極を Tiから Niへ変えることで価電子帯にエネルギー障壁を生じず、受光感度が向上することを報告した。 Mg₂Siの電子親和力から、 Moや Ptを用いることでも Ni同様に受光感度が向上すると考えられる。そこで今回、 Au/Moと Au/Ptのメッシュ状電極 PDを作製し、分光感度特性を評価したので報告する。