[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-3] スパッタリング法による β-Fe_1-xRu_xSi₂多結晶薄膜の作製

〇篠村 太輔¹、西 大樹¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：シリサイド半導体, β-FeSi2

我々はスパッタリング法により β-FeSi₂多結晶薄膜を作製し，1.5 μm 発光の評価を行ってきた．しかし，β-FeSi₂のバンド間遷移はFeのd軌道が支配的であり，遷移確率が低いという問題がある．一方，Feと同族のRuで構成されるRu₂Si₃のバンド構造では，価電子帯頂上がRuのd 軌道とSiのp軌道の軌道混成が生じると報告されている．よって，β-FeSi₂のFe原子の一部をRuで置換することにより，価電子帯でpd混成軌道が誘起されバンド遷移確率が増大すると期待される．そこで本研究ではβ-FeSi₂多結晶薄膜にRuを添加し，混晶系β-Fe_1-xRu_xSi₂多結晶薄膜の作製を目的とした．