[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討

〇堀田 昌宏^1,2、成田 哲生³、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)

キーワード：窒化ガリウム, 深い準位, 不純物

窒化ガリウム(GaN)に存在する電子トラップE3(E_C–0.6 eV, 捕獲断面積~2×10^–15 cm²)の起源について検討を行った．起源として，Fe不純物に着目し，GaN自立基板上にMOVPEによって成長したSiドープn型GaNに対して，SIMSによって測定されるFe濃度とDLTSによって測定されるE3トラップ密度の比較を行った．濃度(0.4–12)×10¹⁵ cm^–3の範囲において，Fe濃度とE3トラップ密度は，明確な1:1の相関を示しており，この結果はE3トラップの起源がFeであることを強く示唆している．