[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-7] Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価

〇徳田 豊¹、吉田 光¹、冨田 一義²、加地 徹²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.住重アテックス)

キーワード：ｐ形窒化ガリウム, トラップ

MOVPE成長p—GaNに、Heイオン注入で生成されるトラップの検討を行った。試料構造は、n-GaN基板上のn+p接合である。200から350 Kの温度範囲で1 MHz容量DLTS測定を行った。正孔トラップHα (Ev+0.48 eV) 、Hβ(Ev+0.71 eV)が生成されることがわかった。さらに順バイアス少数キャリア注入パルスを用いて電子トラップの測定を行い、エネルギー的に連続する準位の生成を示唆する結果が得られた。再度正孔トラップのDLTS測定を行ったところ、DLTS信号が変化することがわかった。詳細なスぺクトラルの解析は今後行う予定であるが、観測されたDLTS信号の変化は（１）350 Kでの欠陥の熱的安定性、（２）少数キャリア注入による荷電状態変化による欠陥安定性の変化、（３）再結合促進欠陥反応、のいずれかに関係すると思われる。