[11a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-Z04-8] Encapsulant Dependent Effect of Low-Temperature Annealing on Mg-Ion-Implanted GaN

〇Shunta Murai¹, Encheng Wu¹, Masamichi Akazawa¹, Tetsu Kachi² (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, ion implantation

GaNデバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp型領域を形成するにはMgイオン注入が有効な手段となる可能性が高いが、イオン注入による欠陥を制御する方法は確立されていない。本報告では、Mgイオン打ち込みを行ったGaNに対して、表面保護膜材料を変えて比較的低温での熱処理を行い、欠陥準位に対する影響について調べた。