[11a-Z09-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [11a-Z09-5] BEOLプロセス互換酸化物半導体In-Al-Zn-Oを用いたゲート長40 nmの
Surrounding Gate 縦型FETの動作実証

〇藤原 弘和¹、佐藤 祐太¹、斉藤 信美¹、上田 知正¹、池田 圭司¹ (1.キオクシア(株))

キーワード：酸化物半導体, 縦型電界効果トランジスタ

BEOLプロセスとの互換性が高い新規酸化物半導体In-Al-Zn-Oを用いたゲート長40nmのSurrounding Gate縦型FETの動作実証に世界で初めて成功した。作製したデバイスは420℃アニール後でもS値130mV/dec.と良好なカットオフ特性を示し、高移動度 (～12cm²/Vs)とプロセス耐熱性を両立している。さらに10¹¹サイクル以上のエンデュランス特性も達成した。以上の結果は酸化物半導体を用いた短チャネル縦型FETの三次元積層LSI向けBEOLトランジスタとしての高いポテンシャルを示すものである。