[11a-Z10-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-Z10-3] 高純度オゾンを用いた低温ALD Al₂O₃膜の性質

〇萩原 崇之¹、阿部 綾香¹、亀田 直人¹、中村 健²、野中 秀彦² (1.明電NPI、2.産総研)

キーワード：低温ＡＬＤ, 高純度オゾン, 絶縁膜

半導体デバイスの高集積化に伴う金属酸化物薄膜の精密な膜厚制御と成膜プロセスの低温化の要求に対し原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ALD）法が注目されている。今回、〜100%濃度のO₃ (Pure Ozone:PO)を150℃以下のALD（PO-ALD）に適用を試みた。プリカーサーとしてトリメチルアルミニウムを用いAl₂O₃膜を成膜し評価した。PO-ALDにて成膜したAl₂O₃膜のGPCおよびI-Vは他のALD手法の結果と同等でありながら、O₃の長寿命により複数基板の一括成膜処理も可能であり生産性に優れる。