2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11a-Z10-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2020年9月11日(金) 08:30 〜 11:15 Z10

三谷 祐一郎(都市大)

09:30 〜 09:45

[11a-Z10-5] Study on Deposition Mechanism of SiOx Films Produced by Silicone Oil and Ozone Gas

〇(M2)Weiqi Zhou1、Susumu Horita1 (1.JAIST)

キーワード:silicon oxide, CVD, FT-IR

Low-temperature SiOx films have been fabricated using APCVD method. In order to reduce the OH bonds content, we have studied the deposition mechanism. FT-IR method has been used to characterize the films.