[11a-Z23-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [11a-Z23-1] Effects of High-Temperature Annealing and Thermal Oxidation on Fermi level of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Substrates

〇Chansoon Koo¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:semi-insulating SiC, intrinsic point defect, Hall effect measurement

高純度半絶縁性（HPSI）SiC基板は、真性点欠陥が形成する深いトラップ準位の働き（補償）により非常に高い抵抗率を示し、高温動作集積回路への応用が期待されている。本研究では、HPSI SiC基板のフェルミ準位を評価し、ミッドギャップ準位が半絶縁性を支配していることを裏付けた。さらに、高温アニールや熱酸化処理がHPSI SiC基板のフェルミ準位に与える影響を評価し、フェルミ準位は禁制帯の中央付近に存在し続けることを確認した。