[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-Z23-1] 高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化

〇具 燦淳¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：半絶縁性SiC, 真性点欠陥, Hall効果測定

高純度半絶縁性（HPSI）SiC基板は、真性点欠陥が形成する深いトラップ準位の働き（補償）により非常に高い抵抗率を示し、高温動作集積回路への応用が期待されている。本研究では、HPSI SiC基板のフェルミ準位を評価し、ミッドギャップ準位が半絶縁性を支配していることを裏付けた。さらに、高温アニールや熱酸化処理がHPSI SiC基板のフェルミ準位に与える影響を評価し、フェルミ準位は禁制帯の中央付近に存在し続けることを確認した。