[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-Z23-7] 4H-SiC(0001)表面近傍における炭素空孔の取り込みやすさの解析

〇中島 響¹、醍醐 佳明²、水島 一郎^2,3、依田 孝^2,3、長川 健太¹、白石 賢二¹ (1.名大院工、2.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ、3.東工大未来研)

キーワード：SiC, 炭素空孔