[11a-Z23-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11a-Z23-8] Analysis of Electrical Conduction Mechanism on 4H-SiC Surface after Silicon-Cap-Annealing

〇Hiroaki Hanafusa¹, Daichi Todo², Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ., 2.Hiroshima Univ. AdSM)

Keywords:Silicon carbide, Ohmic contact, Silicidation

シリコンキャップアニール(SiCA)を行うことでSiCに対して電極金属を堆積するのみで低抵抗コンタクトが得られる。高抵抗層にSiCA処理を施したサンプル上にショットキーバリアダイオードを作製し、導入される欠陥量や電気伝導機構の解析を試みた。その結果、SiCAにより4H-SiC表面に10¹⁹cm^-3を超える欠陥が導入され、表面ポテンシャルが薄く急峻になり、トンネル電流が支配的に流れることでオーミックコンタクトが形成されていることが示唆された。