2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

2020年9月11日(金) 08:30 〜 12:30 Z29

竹延 大志(名大)

11:15 〜 11:30

[11a-Z29-11] ドープ量を制御した炭素ドープホウ化水素シートの合成と評価

川村 陸1、藤本 義隆2、石引 涼太1、後藤 大河1、伊藤 伸一1,2、藤田 武志3、徳永 智春4、宮内 雅弘2、飯村 壮史2、山本 明保5、斎藤 晋2、細野 秀雄2、近藤 剛弘1,2 (1.筑波大、2.東工大、3.高知工科大、4.名古屋大、5.農工大)

キーワード:ナノシート, ホウ素, 層状物質

当研究グループは、MgB2をイオン交換処理することでホウ化水素シート(HB)を合成できることを明らかにしてきた。HBは、加熱することで広い温度範囲で水素分子を放出することが分かっている。理論計算によると、電子ドープによりH-Bの結合が弱くなることが報告されており、加熱による水素の放出温度はHBシートへの電子ドープにより低くなると予想できる。本研究では、炭素をドープしたC-dope MgB2をスタート物質としてC-dope HBを合成し評価した。