[11a-Z29-1~15] 17.3 Layered materials

[11a-Z29-12] Low-temperature p-type ohmic contact to WSe₂ using p⁺-MoS₂/WSe₂ vdW interface

〇Kei Takeyama¹, Rai Moriya¹, Satoru Masubuchi¹, Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi^2,1, Tomoki Machida^1,3 (1.IIS Univ.Tokyo, 2.NIMS, 3.CREST-JST)

Keywords:Layered semiconductor, TMD

金属蒸着法では作製が難しいTMDに対するオーミック電極をvdW接合を用いることによって実現した。WSe₂/p⁺-MoS₂ vdWコンタクトを採用したトランジスタで電極の特性評価と2端子測定によるチャネル特性の評価を行なった。