[11a-Z29-1~15] 17.3 Layered materials

[11a-Z29-13] Study of contact property between 1T’- and 2H-MoTe₂ for low barrier height

〇Tianshun Xie¹, Hidemitsu Ouchi¹, Kohei Sakanashi¹, Keiji Ueno², Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba University, 2.Saitama Univ.)

Keywords:MoTe2, contact, Schottky barrier

MoTe₂が高い on/off比を示すことからフレキシブルな FET デバイス応用が期待されている。金属を蒸着してコンタクトをとるとフェルミレベルピンニングが生じ、デバイスの性能に深刻な影響を与えることから、低バリアの実現に向けた1T’-MoTe₂と2H-MoTe₂のコンタクト特性を注目して、より良い性能を得られるように研究を行っている。