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[11a-Z29-13] 低バリアの実現に向けた1T’-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性の評価
キーワード:MoTe2, コンタクト, ショットキーバリア
MoTe2が高い on/off比を示すことからフレキシブルな FET デバイス応用が期待されている。金属を蒸着してコンタクトをとるとフェルミレベルピンニングが生じ、デバイスの性能に深刻な影響を与えることから、低バリアの実現に向けた1T’-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性を注目して、より良い性能を得られるように研究を行っている。