The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[11a-Z29-1~15] 17.3 Layered materials

Fri. Sep 11, 2020 8:30 AM - 12:30 PM Z29

Taishi Takenobu(Nagoya Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[11a-Z29-5] Bright monolayer MoS2 via spontaneous formation of superacid ultra thin film

〇(M2)Yuki Yamada1, Takeshi Yoshimura1, Atsushi Ashida1, Norifumi Fujimura1, Keisuke Shinokita2, Kazunari Matsuda2, Daisuke Kiriya1 (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:2D Semiconductor, Transition Metal Dichalcogenide

単層のMoS2は3原子分の厚み(約0.7 nm)を有する、直接遷移型の半導体であることから光学デバイスへの応用展開が期待されている。しかし、多量の硫黄欠陥を原因とする発光量子収率の低下(<1%)がデバイス応用の弊害となっている。我々は、剥離法およびCVD法によって作製されたMoS2に対して、UV光照射を取り入れた超酸分子処理法によって高フォトルミネッセンス(PL)を歩留まり良く得られることを報告した。しかし、本高発光化法の詳細なメカニズムについてはまだ分からないことが多く、これを理解することは今後の応用を考える上で重要である。そこで本発表では、超酸分子が形成する単層MoS2との界面に注目したメカニズム解明への取り組みを報告する。