[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

△ [11a-Z29-5] 強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS₂の実現

〇(M2)山田 悠貴¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹、篠北 啓介²、松田 一成²、桐谷 乃輔¹ (1.阪府大院工、2.京大エネ研)

キーワード：二次元半導体, 遷移金属ダイカルコゲナイド

単層のMoS₂は３原子分の厚み(約0.7 nm)を有する、直接遷移型の半導体であることから光学デバイスへの応用展開が期待されている。しかし、多量の硫黄欠陥を原因とする発光量子収率の低下(<1%)がデバイス応用の弊害となっている。我々は、剥離法およびCVD法によって作製されたMoS₂に対して、UV光照射を取り入れた超酸分子処理法によって高フォトルミネッセンス(PL)を歩留まり良く得られることを報告した。しかし、本高発光化法の詳細なメカニズムについてはまだ分からないことが多く、これを理解することは今後の応用を考える上で重要である。そこで本発表では、超酸分子が形成する単層MoS₂との界面に注目したメカニズム解明への取り組みを報告する。