The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 11, 2020 12:30 PM - 3:30 PM Z01

Yoshiaki Nakamura(Osaka Univ.), Kenji Yamaguchi(QST)

1:30 PM - 1:45 PM

[11p-Z01-5] Device simulation of BaSi2 solar cells exhibiting theoretical limit efficiency

Kosuke Hara1 (1.CCST, Univ. of Yamanashi)

Keywords:barium silicide, solar cell, device simulation

BaSi2を光吸収層とする理想的な太陽電構造と、それを実現できる電子・正孔輸送層の条件を明らかにすることを目的に研究を行った。デバイスシミュレーションの結果、バンドギャップが約3 eVの電子・正孔輸送層でBaSi2を挟んだデバイス構造により、理論限界効率(33%)と一致する太陽電池特性を得た。今回の結果は、高効率なBaSi2太陽電池の開発指針となり得る。