The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 11, 2020 12:30 PM - 3:30 PM Z01

Yoshiaki Nakamura(Osaka Univ.), Kenji Yamaguchi(QST)

2:15 PM - 2:30 PM

[11p-Z01-7] Investigation of visible light responsive defect states in electron-irradiated ZnO by positron annihilation lifetime spectroscopy and electron spin resonance

〇(D)Makoto Nakajima1,2, Atsushi Kinomura1, Atsushi Yabuuchi1, Kazuo Kuriyama3 (1.KURNS, Kyoto Univ., 2.Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., 3.Hosei Univ.)

Keywords:zinc oxide, positron annihilation spectroscopy, electron spin resonance

ZnOにおける永続的光伝導のモデルの1つとして提唱されているZungerらのモデルに対応した実験として,液体窒素温度下で陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴により空孔型欠陥の青色LEDと赤色LED照射に対する応答性を調べた.陽電子寿命法では最も変化があった場合で,それぞれ約190 psと約180 psの寿命値が観測された.電子スピン共鳴でも,照射する光の波長に依存して1価に帯電した酸素原子空孔に対応すると考えられるピーク変化が観測された.