[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-15] The process of the step bunching like morphology of GaN grown on free-standing substrate

〇Hirotaka Watanabe¹, Shugo Nitta¹, Yuto Ando², Manato Deki^2,3, Atsushi Tanaka^1,4, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,3,4,5 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Dept. of Electronics.,Nagoya Univ., 3.Nagoya Univ. VBL, 4.NIMS, 5.Nagoya Univ. ARC)

Keywords:semiconductor, crystal growth, MOVPE

GaNは、パワーデバイス材料として有望視されているが結晶成長後にステップバンチング状の表面モフォロジーが観測されることがある。我々は、これまでにステップバンチング状のモフォジーが自立基板のオフ角度と依存性があること報告してきた。本講演では、自立GaN基板上の本研究ではGaN基板上GaNの成長過程において表面状態がどのように変化してステップバンチング状の形状に至るか検討を実施したので報告する。