[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-15] 自立基板上GaNのステップバンチング状モフォロジー形成プロセス

〇渡邉 浩崇¹、新田 州吾¹、安藤 悠人²、出来 真斗^2,3、田中 敦之^1,4、本田 善央¹、天野 浩^1,3,4,5 (1.名大未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.名大VBL、4.物質・材料研究機構、5.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体, 結晶成長, 有機金属気相成長

GaNは、パワーデバイス材料として有望視されているが結晶成長後にステップバンチング状の表面モフォロジーが観測されることがある。我々は、これまでにステップバンチング状のモフォジーが自立基板のオフ角度と依存性があること報告してきた。本講演では、自立GaN基板上の本研究ではGaN基板上GaNの成長過程において表面状態がどのように変化してステップバンチング状の形状に至るか検討を実施したので報告する。