[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-2] Impact of In Composition of Barrier Layer and Number of Periods on Emission Property of High-In-Content GaInN/GaInN MQWs Grown by RF-MBE

〇(M2)Ryosuke Yoshida¹, Hiroki Hirukawa¹, Soichiro Ohno¹, Kaigo Tahara¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:GaInN, LED, MQWs

現在，µ-LEDディスプレイ応用への観点からGaInNを用いた赤色LEDの製作が求められている．しかし，高In組成GaInNは歪量子井戸におけるピエゾ電界の影響による発光効率の低下が問題となる．よって，GaInN下地層へのGaInN多重量子井戸(MQWs)のRF-MBE成長を提案してきた．しかしながら，MQWsでは格子緩和が発生していると予測されるため，発光特性への影響を評価する必要がある．よって本研究では，Ga_1-xIn_xN/Ga_1-yIn_yN(x>y) MQWsのRF-MBE成長を行い，障壁層のIn組成と周期数に着目し，それらが発光特性へ及ぼす影響を評価した．