[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-8] Improvement of Crystal Quality for Sputtered h-BN on Sapphire by High-Temperature Annealing

〇(M2)Ryoji Kataoka¹, Haruhiko Koizumi², Sho Iwayama¹, Hideto Miyake^1,3 (1.Grad. Sch. of RIS., Mie Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:group three nitride crystal, sputtering, h-BN

六方晶窒化ホウ素(h-BN)は二次元材料であることから、基板とⅢ族窒化物材料の間で剥離や歪み緩和層としての機能が期待できる。本研究室では、サファイア基板上に RF スパッタリング法を用いて堆積させた AlN に対してface-to-face 高温アニール(FFA)を施すことで高い結晶性を達成している。そこで本研究では、サファイア基板上に RF スパッタリングを用いて h-BN を堆積させ、FFA 処理を施すことで高い結晶性の h-BN の形成を目指した。