[11p-Z03-3~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-Z03-4] プラズマ曝露時の表面状態がSi基板内のプラズマ誘起欠陥分布に与える影響の定量評価

〇久山 智弘^1,2、涌羅 奨平¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ, 表面状態, シリコン基板

プラズマプロセスでは，加工中の高エネルギーイオン照射により材料表面近傍に欠陥が形成される．近年我々は，固体の表面状態がプロセス雰囲気により変化することに注目し，プラズマ曝露時の表面状態がプラズマ誘起欠陥形成過程に与える影響を解析している．本発表では，Si基板の表面状態がプラズマ誘起欠陥の空間分布に与える影響を，プラズマ曝露後の表面酸化層とSi基板の電気特性から定量的に評価した結果を報告する．