[11p-Z07-1~14] 6.3 Oxide electronics

[11p-Z07-10] Study of threshold switching device with controlling sputtered NbOx film composition

〇Rintaro Hatanaka¹, Masahiro Morimoto¹, Sota Nakamura¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:threshold switching, NbOx

NbOx膜を用いた閾値スイッチング素子の実現を目指し、NbOx層の反応性スパッタ条件を様々に変えた試料を作成し、閾値スイッチング現象の発現とNbOxの膜質との相関をXPS分析等により調査した。