2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 13:00 〜 16:45 Z07

島 久(産総研)、加藤 誠一(物質・材料研究機構)

15:30 〜 15:45

[11p-Z07-10] スパッタNbOx膜質制御による閾値スイッチング素子の検討

畠中 林太郎1、森本 雅大1、中村 颯汰1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関大シス理)

キーワード:閾値スイッチング, ニオブ酸化物

NbOx膜を用いた閾値スイッチング素子の実現を目指し、NbOx層の反応性スパッタ条件を様々に変えた試料を作成し、閾値スイッチング現象の発現とNbOxの膜質との相関をXPS分析等により調査した。