[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-12] 放射光を用いたアモルファスアルミナReRAMの電子構造の直接観察

〇加藤 誠一¹、児子 精祐¹、久保田 正人²、雨宮 健太³ (1.物材機構、2.原子力機構、3.高エネ研物構研)

キーワード：ReRAM, アモルファスアルミナ, 放射光

我々はアモルファスアルミナReRAMのスイッチング現象の起源は酸素空孔に電子が出入りすることにより金属絶縁体転移を起こすことであるというモデルを提唱している。この検証のためON、OFF試料の電子状態を放射光観察した。O周辺ではON状態でサブバンドに起因するとみられるピークが観察されたが、Alではこのピークは見られずAlの化学変化は伴っていないと推定される。こうした結果は我々のモデルを支持する。