The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[11p-Z07-1~14] 6.3 Oxide electronics

Fri. Sep 11, 2020 1:00 PM - 4:45 PM Z07

Hisashi Shima(AIST), Seiichi KATO(物質・材料研究機構)

3:00 PM - 3:15 PM

[11p-Z07-8] Ambient thermal energy-driven synaptic transistor without electric power

Teruo Kanki1, Keita Muraoka1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:vanadium dioxide, proton diffusion, multi-memory

生体脳は、情報処理とメモリが一体となった完全非ノイマン型演算システムである。ニューロンにはアナログメモリに相当するシナプスが無数にあり省エネルギーで記憶・学習をしている。本研究では熱エネルギーを利用した拡散とゲート電界によるチャネル侵入電界によるプロトン方向制御により無電力多値メモリトランジスタを作製し、低抵抗VO2 ⇔ 高抵抗HVO2の変化により160%にも及ぶスイッチと多値メモリ効果の両者を確認した。