2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2020年9月11日(金) 12:45 〜 17:15 Z09

山端 元音(NTT物性研)、多田 宗弘(NEC)、遠藤 和彦(産総研)

16:30 〜 16:45

[11p-Z09-13] Mn添加Co膜におけるCu 拡散バリア性の検討

〇(M2)松平 太郎1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工)

キーワード:バリアメタル, スパッタリング, コバルトマンガン

我々は、Ta/TaN、Ti/TiNに替わるCu配線バリアメタルの新材料として、CoMnに注目した。本研究では、Si基板上にCoMn/Cu/TiNを堆積し、真空雰囲気で350℃を熱処理した後、TOF-SIMS分析によるCu拡散バリア性の評価を行なった。実験により、CoMn膜がCu拡散を抑制することが確認された。特に、真空雰囲気で200℃プレアニールをした場合、Cu拡散を大きく抑制した。これは、プレアニールによって、Mn酸化物層が界面に偏析し、CoMn合金膜のCu拡散バリア性が高まったと考えられる。