[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11p-Z09-3] [（再講演）第11回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター

〇小野 行徳^1,2、フィルダス ヒンマ²、渡邊 時暢¹、堀 匡寛^1,2、モラル ダニエル^1,2、高橋 庸夫³、藤原 聡⁴ (1.静大電研、2.静大院創造、3.北大院情報、4.NTT物性基礎研)

キーワード：シリコン, トランジスタ, 電子・電子散乱

MOSトランジスタでは、電子の運動量とエネルギーはドレイン端で不可避的に散逸してしまい、このことがトランジスタの駆動力とエネルギー効率を律速する本質的な問題となっている。ここでは、このような原理的限界を打破するために、付加的な電源電圧なしにトランジスタ電流を増幅できる（駆動力を向上させることができる）ナノスケールMOSデバイス：エレクトロン・アスピレーターを提案し、その基本動作を実証した。