[11p-Z10-1~8] 13.3 Insulator technology

[11p-Z10-1] Etching of Ge substrate surface by iodine solution treatment

〇(M2)Haruka Mori¹, Hamachi Takeaki¹, Abo Satoshi¹, Sakai Akira¹, Kanashima Takeshi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:germanium

我々はGe(111)と良好な原子整合性を示すLa2O3に着目し，結晶性La2O3/p-Ge(111)直接接合のMISFETを報告してきた．このような直接接合は酸化により形成されたGeO2とは異なり，絶縁膜成長直前のGe表面がMIS界面となるため，洗浄や溶液処理による表面状態が電気特性に大きく影響を及ぼす．そこで我々はI2溶液処理を提案し，界面準位密度(Dit)の低減を報告してきた．しかしI2溶液ではGe表面にエッチピットが形成されることが分かり，その抑制とより効果的なI2溶液処理を検討するためにエッチピットの起因について調べた．