[11p-Z10-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[11p-Z10-4] Zr-PMAによるＧeO₂/Ge界面状態及びＧeO膜質の改善

〇飯野 寛貴¹、上野 智雄¹、岩崎 好孝¹、堀口 遥¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体, ゲルマニウム系半導体

GeO₂膜の膜中及びGeO₂/Ge界面の欠陥や膜質を改善する手段として金属を堆積させ熱処理を行うPMA法がある。PMA法の研究では、主な金属としてHfを用いたHf-PMAの効果は先行研究より確認されていた。本実験ではHfと同族元素でHfより一般に低いプロセス温度を有するZrを用いたZr-PMAの効果を検証したうえで、Zr-PMAのアニール温度特性を調査しHf-PMAとの比較を行った。