[11p-Z10-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[11p-Z10-5] TiO₂を用いたMOSゲート構造の作製と評価

〇豊田 健一郎¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大工)

キーワード：半導体, TiO2, MOS