[11p-Z10-1~8] 13.3 Insulator technology

[11p-Z10-8] The effects of metal oxide layer on resistive switching properties in Al/metal oxide/Si structure

〇Ryota Teragaki¹, Haruhiko Yoshida¹, Koji Arafune¹, Teruo Kanki², Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo, 2.ISIR-Sanken)

Keywords:Resistive Random Access Memory(RRAM), Resistive Switching, Silicate

次世代の不揮発性メモリとして開発が進められている抵抗変化型メモリ(RRAM)が抱える問題を解決するため、新たにAl/金属酸化物/Si (Al/MOx/Si)構造のRRAMを提案した。この構造ではエレクトロフォーミング処理の省略、貴金属電極を使用しないなどの利点があったが、低いリテンション特性が課題となっていた。今回は、金属酸化物層を2層構造にした場合のリテンション特性の変化について調査を行った。