[11p-Z10-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[11p-Z10-8] Al/金属酸化物/HfO₂/Si構造の金属酸化物が抵抗スイッチングに与える影響

〇寺垣 亮太¹、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、神吉 輝夫²、堀田 育志¹ (1.県立大工、2.阪大産研)

キーワード：抵抗変化型メモリ(RRAM), 抵抗スイッチング, シリケイト

次世代の不揮発性メモリとして開発が進められている抵抗変化型メモリ(RRAM)が抱える問題を解決するため、新たにAl/金属酸化物/Si (Al/MOx/Si)構造のRRAMを提案した。この構造ではエレクトロフォーミング処理の省略、貴金属電極を使用しないなどの利点があったが、低いリテンション特性が課題となっていた。今回は、金属酸化物層を2層構造にした場合のリテンション特性の変化について調査を行った。