[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-1] シリコン単結晶成長におけるリン濃度分布の蒸発フラックス依存性

〇中野 智¹、劉 鑫¹、韓 学峰¹、柿本 浩一¹ (1.九大応力研)

キーワード：ドーパント, 一方向性凝固法, シミュレーション

シリコン結晶成長時に用いるドーパント不純物の代表として、リンが挙げられる。リンは偏析係数が小さいため、結晶中不純物濃度分布は不均一になる。不均一な濃度分布は抵抗率に大きな影響を及ぼす。本研究では、一方向性凝固法を用いたシリコン結晶成長過程において、ドーパント不純物としてリンを用いた場合、融液表面からのリンの蒸発を制御することで、結晶中リン濃度分布の均一化が可能かについて、数値計算を用いて検討した。