[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-Z12-14] Formation of ultra-thin gettering layer by high pressure hydrogen plasma

〇Toshimitsu Nomura¹, Kenta Kimoto¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Grad. Sch. of Osaka Univ.)

Keywords:high pressure hydrogen plasma, gettering, 3-dimensional LSI

近年、デバイスの集積度を飛躍的に向上させる技術として、薄型ウエハを積層した三次元LSIが注目を集めている。現在のウエハ薄化法はケミカル消費の多段階プロセスであるが、これまでに我々は、水素プラズマを用いた低コスト、低環境負荷なウエハ薄化法の開発を行ってきた。本発表では、プラズマ加工条件の制御により、ウエハ薄化と同一チャンバーで行える極薄ゲッタリング層導入を検討した成果を報告する。