[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-14] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成

〇野村 俊光¹、木元 健太¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹、大参 宏昌¹ (1.阪大大学院工学研究科)

キーワード：高圧水素プラズマ, ゲッタリング, 三次元LSI

近年、デバイスの集積度を飛躍的に向上させる技術として、薄型ウエハを積層した三次元LSIが注目を集めている。現在のウエハ薄化法はケミカル消費の多段階プロセスであるが、これまでに我々は、水素プラズマを用いた低コスト、低環境負荷なウエハ薄化法の開発を行ってきた。本発表では、プラズマ加工条件の制御により、ウエハ薄化と同一チャンバーで行える極薄ゲッタリング層導入を検討した成果を報告する。